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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MRF837 | NPNSILICONRFLOWPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF837isDesignedprimerilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. FEATURESINCLUDE: •Mingain8.0dB@750mW/870MHz •SiliconNitridepassivated •LowcostPlasticPackage | ASI Advanced Semiconductor |  |   |
RFLOWPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) •State–of–the–ArtTechno | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedprimarilyforwidebandlargesignalstagesinthe800MHzandUHFfrequencyranges. Features •Specified@12.5V,870MHzcharacteristics •OutputPower=750mW •MinimumGain=8.0dB •Efficiency60Typical •CostEffectiveSO-8package | ADPOW Advanced Power Technology |  | | |
NPNSILICONLOWPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF8372isDesignedforWidebandlargesignalstagesinthe800MHzandUHFfrequencyranges. FEATURES: •POUT=750mW •PG=8.0dBmin. •η=60typical •R1suffix–TapeandReel,500units •R2suffix–TapeandReel,2500units | ASI Advanced Semiconductor | | | |
RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedprimarilyforwidebandlargesignalstagesinthe800MHzandUHFfrequencyranges. Features •Specified@12.5V,870MHzcharacteristics •OutputPower=750mW •MinimumGain=8.0dB •Efficiency60Typical •CostEffectiveSO-8package | ADPOW Advanced Power Technology | | | |
RFLOWPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) •State–of–the–ArtTechno | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | | |
RFLOWPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor Designedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics OutputPower=750mW MinimumGain=8.0dB Efficiency60(Typ) •State–of–the–ArtTechno | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | | |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：带 描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  | | |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：带 描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | | | |
PanelMount,ShocksafeSnap-InType,5x20mmFuses 文件：83.01 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 |  | | |
PCMount,Shocksafe5x20mmFuses 文件：80.58 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 | | | |
PanelMount,for5x20mmFuses 文件：179.38 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 | | | |
PCBmount,verticalfor5x20mmFuses 文件：83.41 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 | | | |
PCMount,Shocksafe5x20mmFuses 文件：84.08 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 | | |
MRF837产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF837
- 制造商
Motorola Inc
- 制造商
Microsemi Corporation
- 功能描述
RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KODENSHI |
25+ |
SMD-4 |
64581 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
11915 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
KODENSHI |
24+ |
SMD-4 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON |
24+ |
SOP8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOP-8 |
23552 |
原装现货假一赔十 |
|||
ON |
20+ |
SOP8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
MOTOROLA |
1725+ |
3256 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
||||
MOT |
24+ |
SMD |
5632 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOP8 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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