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MRF8372R1

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. • Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW Minimum Gain = 8.0 dB Efficiency 60 (Typ) • State–of–the–Art Techno

Motorola

摩托罗拉

MRF8372R1

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:带 描述:RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

Microsemi

美高森美

MRF8372R1

NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR 750 mW, 870 MHz

ETC

知名厂家

MRF8372R1

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

Microchip

微芯科技

MRF8372R1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF8372R1

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    MRF8372R1 - Bulk

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

更新时间:2025-10-2 16:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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