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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF8372R2 | RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges. • Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 750 mW Minimum Gain = 8.0 dB Efficiency 60 (Typ) • State–of–the–Art Techno | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | |
MRF8372R2 | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：带 描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | MICROSEMI 美高森美 | | |
MRF8372R2 | RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets | MICROCHIP 微芯科技 | |
MRF8372R2产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF8372R2
- 制造商
MICROSEMI
- 制造商全称
Microsemi Corporation
- 功能描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
NI-650H-4 |
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原装正品公司现货,假一赔十! |
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恩XP |
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NI-650H-4 |
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只做原装,质量保证 |
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25+ |
NI-650H-4 |
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买原装认准中赛美 |
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MRF8372R2规格书下载地址
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