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MMBT5551LT价格

参考价格：￥0.1036

型号：MMBT5551LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT5551LT多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT5551LT批发/采购报价，MMBT5551LT行情走势销售排行榜，MMBT5551LT报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMBT5551LT1

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

AVICTEKAvic Technology

AvicTechnology

AVICTEK
MMBT5551LT1

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

TGS
MMBT5551LT1

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1_15

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistorsNPNSilicon

文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3

HighVoltageTransistors

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

HighVoltageTransistors

文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

HighVoltageTransistorsNPNSilicon

文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBT5551LT3G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
5551

ColdShrink]RubberSplicingKits

1.ProductDescription 3M]5550SeriesColdShrink]RubberSplicingKitsare designedforsplicing5/8kVshieldedandnon-shielded,solid dielectric,powercables.Eachkitcontainsallthematerials (exceptconnectors)requiredtoconstruct3single-conductor splicesontapeshield,wiresh

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
5551AB

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages

SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

Systemsensor advanced ideas.

SYSTEMSENSOR
5551B

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages

SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

Systemsensor advanced ideas.

SYSTEMSENSOR
5551R

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

文件：123.14 Kbytes Page：4 Pages

SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

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SYSTEMSENSOR
5551RA

500SeriesIntelligentSensorswithIntegralCommunications

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SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas.

Systemsensor advanced ideas.

SYSTEMSENSOR

MMBT5551LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT5551LT

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MMBT5551LT供应商更多...

更新时间：2024-6-22 8:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市豪迈兴电子有限公司
MMBT5551LT1G
ON
2339+
NA
5632
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深圳市亿智腾科技有限公司
MMBT5551LT1G
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SOT-23
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深圳市宇创芯科技有限公司
MMBT5551LT1
ON/安森美
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SOT23-6
9600
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深圳市中利达电子科技有限公司
MMBT5551LT1G
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天津市博通航睿技术有限公司
MMBT5551LT1
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0548
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深圳市金芯阳科技有限公司
MMBT5551LT1G
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2021+
SOT-23
8225
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中科国际电子(深圳)有限公司
MMBT5551LT1
ON(安森美)
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原厂原装现货
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深圳市欧立现代科技有限公司
MMBT5551LT1
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SOT23
6980
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讯运(深圳/上海)电子有限公司
MMBT5551LT1G
LRC
15+
SOT23
50000
深圳现货
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深圳市九方航科技有限公司
MMBT5551LT1G
ON
23+
SOT-23
7188
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持
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