IXTH36P15P价格

参考价格:¥24.4490

型号:IXTH36P15P 品牌:Ixys 备注:这里有IXTH36P15P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTH36P15P批发/采购报价,IXTH36P15P行情走势销售排行榜,IXTH36P15P报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXTH36P15P

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:180.41 Kbytes Page:6 Pages

IXYS

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=-36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=-150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.09Ω(Max)@VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

P-Channel QFET® MOSFET -150 V, -36 A, 90 mΩ

Features -36 A, -150 V, RDS(on) = 90 mΩ (Max) @VGS = -10 V, ID = -18 A Low Gate Charge (Typ. 81 nC) Low Crss (Typ. 110 pF) 100% Avalanche Tested 175°C Maximum Junction Temperature Rating Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconducto

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

150V P-Channel MOSFET

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150V P-Channel MOSFET

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150V P-Channel MOSFET

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IXTH36P15P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH36P15P

  • 功能描述

    MOSFET PolarP Power MOSFETs

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
8630
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
2022+
TO-247
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
55300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
24+
TO-247
8866
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
IXYS/艾赛斯
24+
TO-247
60000
全新原装现货
IXYS
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/LITTELFUSE
1917
TO-247
15800
全新原装正品现货直销

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