IXTT16N10D2

製造商: IXYS

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TO-268-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V

Id - C連續漏極電流: 16 A

Rds On - 漏-源電阻: 64 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V

Qg - 閘極充電: 225 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 830 W

通道模式: Depletion

封裝: Tube

品牌: IXYS

配置: Single

下降時間: 70 ns

互導 - 最小值: 7 S

產品類型: MOSFET

上升時間: 43 ns

系列: IXTT16N10

原廠包裝數量: 30

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 340 ns

標準開啟延遲時間: 45 ns

每件重量: 6.500 g