IXTH60N20X4

时间:2022-8-31 9:52:00

IXTH60N20X4

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 11 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商标名: X4-Class

封装: Tube

商标: IXYS

配置: Single

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 22 ns

系列: IXTx60N20X4

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 52 ns

典型接通延迟时间: 13 ns