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High Voltage MOSFET

High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode Features • International standard packages JEDEC TO-251 AA, TO-252 AA • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Fast switching times Applications • Level shifting • Triggers • Solid state relays • Current re

IXYS

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=0.1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =50Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Plastic-Encapsulate MOSFETS

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

Plastic-Encapsulate MOSFETS

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ZPSEMIZP Semiconductor

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更新时间:2025-8-8 22:58:01
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