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CJU01N80 | Plastic-EncapsulateMOSFETS 文件：546.31 Kbytes Page：2 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 |  |   |
CJU01N80 | N-ChannelPowerMOSFET 文件：796.82 Kbytes Page：5 Pages | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 |  | |
HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Levelshifting •Triggers •Solidstaterelays •Currentre | IXYS IXYS Corporation |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
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CJ/长电 |
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CJ/长电 |
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2020-10-29
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