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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Features Maintains both low power loss and low noise Lower RDS(on) characteristic More controllable switching dv/dt by gate resistance Smaller VGS ringing waveform during switching Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) High avalanche durability Applica

Fuji

富士通

Power filed Effect Transistor

FEATURES ◆ Robust High Voltage Termination ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件:1.92413 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件:1.74081 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:191.5 Kbytes Page:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

更新时间:2025-11-3 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
24+
TO-220F
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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INFINEON/英飞凌
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5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
INFINEON/英飞凌
25+
TO-220
135
全新原装正品支持含税

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