制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SuperSO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 85 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.5 ns
正向跨导 - 最小值: 27
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.2 ns
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