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位置：首页 > IC中文资料第5822页 > CMT06N60

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠电子工业股份有限公司

CHAMP
CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠电子工业股份有限公司

CHAMP
CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
CMT06N60N220

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠电子工业股份有限公司

CHAMP
CMT06N60N220FP

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠电子工业股份有限公司

CHAMP
CMT06N60_06

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠电子工业股份有限公司

CHAMP
CMT06N60N220

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
CMT06N60N220

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠电子工业股份有限公司

CHAMP
CMT06N60N220FP

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
CMT06N60N220FP

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠电子工业股份有限公司

CHAMP
06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji
CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

CMT06N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CMT06N60

  • 功能描述

    POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

CMT06N60供应商更多...

更新时间：2025-5-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
CMT06N60
CMT
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CMT06N60N220
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CMT06N60N220
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  • CMS69F116C

    CMS69F116C，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六.V:八七六八零五五八.

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    2021-4-27

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