| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
06N60E | N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica | FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社 |  |   |
PowerfiledEffectTransistor FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 |  | | |
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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09 |
24+ |
TO-220F |
1251 |
原装现货假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
INFINEON |
10+ |
TO252 |
7800 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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INFINEON |
24+ |
TO220F |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220F |
7000 |
||||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
|||
INF进口原 |
17+ |
220-220F |
6200 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220F |
90824 |
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2020-2-28
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