型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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06N60E | N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica | FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社 | ||
PowerfiledEffectTransistor FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | |||
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件:1.92413 Mbytes Page:16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件:1.74081 Mbytes Page:16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件:191.5 Kbytes Page:6 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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INFINEON |
24+ |
TO-252 |
210 |
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INFINEO |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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INF |
20+ |
220-220F |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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24+ |
长期备有现货 |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
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Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
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INF |
12+ |
220-220F |
890 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INF |
24+ |
TO252 |
2000 |
全新进口原装现货热卖! |
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09 |
24+ |
TO-220F |
1251 |
原装现货假一赔十 |
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Infineon/英飞凌 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
06N60E规格书下载地址
06N60E参数引脚图相关
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2020-2-28
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