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CJP06N60中文资料

厂家型号

CJP06N60

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227.22Kbytes

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4

功能描述

Power filed Effect Transistor

MOSFET

数据手册

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生产厂商

JIANGSU

CJP06N60数据手册规格书PDF详情

FEATURES

◆ Robust High Voltage Termination

◆ Avalanche Energy Specified

◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a

Discrete Fast Recovery Diode

◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

CJP06N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CJP06N60

  • 功能描述

    MOSFET

更新时间:2025-11-26 16:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
25+23+
TO-220-3L
24537
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TO-220-3L
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2015
TO-220-3L
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2015
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