型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4RC10UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage •Lead-Free Benefits

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IRG4RC10UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 8.5A 38W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A)

Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

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IRG4RC10UPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4RC10UPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-13 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2020+
TO-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
20+
DPAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IR
23+
NA/
22829
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
23+
TO-252
28000
原装正品
IR
TO-252
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
IR
10+
TO-252
19579
IR
23+
TO-252
30000
全新原装现货,价格优势
IR
2022
TO-252
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
IR
22+23+
TO-252
28697
绝对原装正品全新进口深圳现货
Infineon Technologies
22+
DPak
9000
原厂渠道,现货配单

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