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IRG4RC10UPBF中文资料

厂家型号

IRG4RC10UPBF

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4RC10UPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4RC10UPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-252
19579
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
2450+
TO-252
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