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厂家型号	IRG4RC10
文件大小	190.21Kbytes
页面数量	10页
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
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生产厂商	IRF

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

类型
描述
型号
IRG4RC10
制造商
IRF
制造商全称
International Rectifier
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4RC10供应商...

更新时间：2025-10-12 9:04:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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参考价格：￥4.7734

型号：IRG4RC10UTRPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4RC10多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4RC10批发/采购报价，IRG4RC10行情走势销售排排榜，IRG4RC10报价。