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IRG4RC10SD价格

参考价格：￥6.4489

型号：IRG4RC10SDPBF 品牌：IR 备注：这里有IRG4RC10SD多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4RC10SD批发/采购报价，IRG4RC10SD行情走势销售排行榜，IRG4RC10SD报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4RC10SD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

Features • Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Tight parameter distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-

IRF

IRG4RC10SD

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4RC10SD

600V DC-1 kHz（标准）Copack IGBT，采用 D-Pak 封装

INFINEON

英飞凌

IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Tight parameter distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-

IRF

IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4RC10SDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4RC10SDTRLP

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4RC10

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)

Features • Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (

IRF

IRG4RC10

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

IRF

IRG4RC10KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

IRF

IRG4RC10S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)

Features • Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (

IRF

IRG4RC10U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies ( 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode) • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • Industry standard TO-252AA package Benefits • Generation

IRF

IRG4RC10SD产品属性

  • 类型

    描述

  • Technology ：

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max：

    1.0kHz 1.0kHz

  • Package ：

    DPAK (TO-252)

  • Voltage Class max：

    600.0V

  • IC(@100°) max：

    8.0A

  • IC(@25°) max：

    14.0A

  • ICpuls max：

    18.0A

  • Ptot max：

    38.0W

  • VCE(sat) ：

    1.58V 

  • Eon ：

    0.31mJ 

  • Eoff(Hard Switching) ：

    3.28mJ 

  • td(on) ：

    76.0ns 

  • tr ：

    32.0ns 

  • td(off) ：

    815.0ns 

  • tf ：

    720.0ns 

  • QGate ：

    15.0nC 

  • IF max：

    16.0A

  • VF ：

    1.5V 

  • Qrr ：

    40.0nC 

  • Irrm ：

    2.9A 

  • Ets  (max)：

    3.6mJ (10.9mJ)

  • Moisture Sensitivity Level ：

    1

  • VCE max：

    600.0V

IRG4RC10SD供应商更多...

更新时间：2026-7-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IRG4RC10SDTR
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