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IRG4RC10SD中文资料

厂家型号

IRG4RC10SD

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK

数据手册

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简称

IRF

生产厂商

International Rectifier

中文名称

官网

LOGO

IRG4RC10SD数据手册规格书PDF详情

Features

• Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A

• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3

KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4

KHz in brushless DC drives.

• Tight parameter distribution

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use

in bridge configurations

• Industry standard TO-252AA package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies

available

• IGBTs optimized for specific application conditions

• HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

• Lower losses than MOSFETs conduction and

Diode losses

IRG4RC10SD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4RC10SD

  • 功能描述

    IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-6-21 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
IR
24+
TO-252
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
2021+
TO-252
9000
原装现货,随时欢迎询价
IR
24+
TO-252
501023
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
IR
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
INTERNATIONA
05+
原厂原装
4893
只做全新原装真实现货供应
IR
24+
D-Pak
8866
IR
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原装正品,优势热卖
IR
24+
原厂封装
224
原装现货假一罚十
IR
23+
D-Pak
8600
全新原装现货

IRG4RC10SDTRPBF 价格

参考价格:¥6.5547

型号:IRG4RC10SDTRPBF 品牌:International 备注:这里有IRG4RC10SD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4RC10SD批发/采购报价,IRG4RC10SD行情走势销售排排榜,IRG4RC10SD报价。

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International Rectifier

中文资料: 32179条

International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在