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IRG4PH30价格

参考价格：￥12.3324

型号：IRG4PH30KDPBF 品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER 备注：这里有IRG4PH30多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PH30批发/采购报价，IRG4PH30行情走势销售排行榜，IRG4PH30报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4PH30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous g

IRF

IRG4PH30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE

IRF

IRG4PH30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

INFINEON

英飞凌

IRG4PH30K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous g

IRF

IRG4PH30KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE

IRF

IRG4PH30KD

1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

1200V IGBT 与超快4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降低;

INFINEON

英飞凌

IRG4PH30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE

IRF

IRG4PH30KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous g

IRF

IRG4PH30K

1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装

INFINEON

英飞凌

IRG4PH30KD

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4PH30KDPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4PH30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PH30KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PH30KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：354.86 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PH30KPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：354.86 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PH30产品属性

  • 类型

    描述

  • Technology ：

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max：

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package ：

    TO-247

  • Voltage Class max：

    1200.0V

  • IC(@100°) max：

    10.0A

  • IC(@25°) max：

    20.0A

  • ICpuls max：

    40.0A

  • Ptot max：

    100.0W

  • VCE(sat) ：

    3.1V 

  • Eon ：

    0.64mJ 

  • Eoff(Hard Switching) ：

    0.92mJ 

  • td(on) ：

    27.0ns 

  • tr ：

    26.0ns 

  • td(off) ：

    310.0ns 

  • tf ：

    330.0ns 

  • QGate ：

    94.0nC 

  • Ets  (max)：

    1.56mJ (2.4mJ)

  • Switching Frequency ：

    Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max：

    1200.0V

IRG4PH30供应商更多...

更新时间：2026-8-3 9:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市能元时代电子有限公司
IRG4PH30KPBF
IR/INFINEON
23+
TO-247
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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现代芯城（深圳）科技有限公司
IRG4PH30KPBF
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深圳市勤思达科技有限公司
IRG4PH30KD
IR
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TO-247AC
12500
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IRG4PH30K
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深圳市粤科源兴科技有限公司
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深圳市斌能达电子科技有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
IRG4PH30KPBF
Infineon/英飞凌
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TO-247(AC)
8000
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市宇创芯科技有限公司
IRG4PH30KPBF
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TO-247
12800
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
IRG4PH30KD
IR
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