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IRG4PH30中文资料

厂家型号 | IRG4PH30 |
文件大小 | 161.67Kbytes |
页面数量 | 8页 |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
数据手册 | |
简称 | IRF |
生产厂商 | International Rectifier |
中文名称 | |
LOGO |
IRG4PH30数据手册规格书PDF详情
Features
• High short circuit rating optimized for motor control,
tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,
VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high
switching speed
• Latest generation design provides tighter parameter
distribution and higher efficiency than previous
generations
Benefits
• As a Freewheeling Diode we recommend our
HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for
minimum EMI / Noise and switching losses in the
Diode and IGBT
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power
density motor controls possible
• This part replaces the IRGPH30K and IRGPH30M
devices
IRG4PH30产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4PH30
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
15+ |
原厂原装 |
3500 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
IR |
23+ |
TO-247 |
65400 |
||||
IR |
24+ |
TO-247 |
1365 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
IR |
22+ |
TO |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
IR |
23+ |
TO |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO |
7000 |
||||
IR |
24+ |
TO-247AC |
8866 |
||||
DISCRETE |
25 |
IR |
3500 |
IRG4PH30KPBF 价格
参考价格:¥8.9514
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在