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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRG4PH30KDPBF_15 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages | IRF |   |
更新时间：2025-10-5 14:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
NEW |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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Infineon Technologies |
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IR |
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Infineon(英飞凌) |
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IR |
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
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2020-1-12
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