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IRG4IBC30FDPBF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery

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Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

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IRG4IBC30FDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4IBC30FDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 9:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
NA
30000
原装现货假一罚十
IR
2020+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
2022
TO220
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
IR
TO-220F
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
IR
23+
TO-220
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
Infineon Technologies
23+
TO220AB FullPak
9000
原装正品,支持实单
IR
22+
TO-220F
32350
原装正品 假一罚十 公司现货
IR
21+
TO-220F
9866
IR
2019
TO-220
55000
绝对原装正品假一罚十!
IR
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十

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