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IRG4BC20FPBF价格
参考价格：￥6.3742
型号：IRG4BC20FPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4BC20FPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC20FPBF批发/采购报价，IRG4BC20FPBF行情走势销售排行榜，IRG4BC20FPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4BC20FPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package • Lead-Free Benef | IRF |   | |
IRG4BC20FPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：204.95 Kbytes Page：9 Pages | IRF | | |
IRG4BC20FPBF | 封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：204.95 Kbytes Page：9 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery | IRF | | ||
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
| IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | |
IRG4BC20FPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC20FPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
NA |
3557 |
进口原装正品优势供应 |
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IR |
06+ |
TO-220 |
9999 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IFA |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
205 |
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IR |
24+ |
TO-220 |
45000 |
IR代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
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Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
IRG4BC20FPBF芯片相关品牌
IRG4BC20FPBF规格书下载地址
IRG4BC20FPBF参数引脚图相关
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IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技 有限公司
2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能 科技有限公司
2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
IRFZ44NPBF原装正品
2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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