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位置：首页 > IC中文资料第2145页 > IRFR4105TR

IRFR4105TR价格

参考价格：￥2.6268

型号：IRFR4105TRLPBF 品牌：IR 备注：这里有IRFR4105TR多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR4105TR批发/采购报价，IRFR4105TR行情走势销售排行榜，IRFR4105TR报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR4105TR

55V N-Channel MOSFET

Description Ultra Low On-Resistance Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS(V) = 50V ID = 27A (VGS = 10V) RDS(ON)

UMW

友台半导体

IRFR4105TRL

Advanced Planar Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

KERSEMI

IRFR4105TRLPBF

Ultra Low On-Resistance

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRFR4105TRPBF

Ultra Low On-Resistance

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

IRF

AN4105

Design Considerations for Switched Mode Power Supplies Using A Fairchild Power Switch (FPS) in a Flyback Converter

Introduction Flyback switched mode power supplies (SMPS) are among the most frequently used power circuits in household and consumer electronics. The basic function of an SMPS is to supply regulated power to the load on the secondary, or output side. An SMPS typically incorporates a power transfo

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

AUIRFR4105

Advanced Planar Technology

AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design

Infineon

英飞凌

AUIRFR4105

Advanced Planar Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

KERSEMI

ACTR4105

true one-port, surface-acoustic-wave (SAW) resonator

文件：58.89 Kbytes Page：3 Pages

ACT

AUIRFR4105

Advanced Planar Technology Low On-Resistance

文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRFR4105TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR4105TR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFR4105TR供应商更多...

更新时间：2025-9-23 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFR4105TRL
IR(国际整流器)
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