IRFR5410TRPBF原装现货

发布企业:深圳市粤骏腾电子科技有限公司时间:2019-7-26 14:15:00

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IRFR5410TRPBF正品支持验货

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 205 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 38.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 66 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: HEXFET Power MOSFET

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 3.2 S

下降时间: 46 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 58 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: SP001557100

单位重量: 4 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

IRF

International Rectifier

IRF

P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

HEXFET Power MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

ULTRA LOW ON RESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRF

HEXFET POWER MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

ULTRA LOW ON RESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRF

AUTOMOTIVE GRADE

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
2025-8-3 10:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-2(DPAK)
4258
原装正品 价格优势
INFINEON/英飞凌
23+
NA
9990
只有原装
Infineon Technologies
25+
30000
原装现货,支持实单
IR
24+
TO252
65200
一级代理/放心采购
Infineon
20+
DPAK
5328
原装正品现货
IRFR5410
22+
5000
Infineon(英飞凌)
21+
-
31278
原装现货,假一罚十
原装
1923+
TO-252
8900
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NK/南科功率
2025
TO-252
3202
国产南科
IR
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货