全新原装,公司现货销售
型号:IRFR3710Z
封装:TO-252-3
参数:
FET 类型: N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压:(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 18 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)100nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2930pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装:D-Pak