型号：IRFR3710Z
品牌：Infineon
封装：TO252
参数：
FET 类型： N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）：（25°C 时） 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 100nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：（最大值） 2930pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散：（最大值） 140W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
