IRFR3710ZTRPBF分立半导体产品

型号：IRFR3710Z

品牌：Infineon

封装：TO252

参数：

FET 类型： N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100V

电流 - 连续漏极（Id）：（25°C 时） 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 33A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 100nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：（最大值） 2930pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散：（最大值） 140W（Tc）

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装