型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

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SMPS MOSFET

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KERSEMI

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IRFR13N20DCTRLP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR13N20DCTRLP

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-30 9:48:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
159978
明嘉莱只做原装正品现货
IR
24+
TO-252
9700
绝对原装正品现货假一罚十
INFINEON/英飞凌
2021+
TO-252
9000
原装现货,随时欢迎询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
89630
当天发货全新原装现货
IR
23+
SOT-252
65400
I
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12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IR
23+24
TO-252
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
IR
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TO-252
8964
只做原装假一赔十
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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