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IRFR10价格

参考价格：￥4.7241

型号：IRFR1010ZPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFR10多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR10批发/采购报价，IRFR10行情走势销售排行榜，IRFR10报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR1010Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp

IRF

IRFR1010Z

Advanced Process Technology

Description Specifically designed for Automotive applications, this MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti

KERSEMI

IRFR1010ZTRPBF-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application » Adaptor « Charger « Power management o SMPS Standby Power

TECHPUBLIC

台舟电子

IRFR1018E

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High Speed Power Switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤8.4mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

IRFR1018EPBF

HEXFET TM Power MOSFET

Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Power Switching

IRF

IRFR1018EPBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Power Switching

IRF

IRFR1018ETRPBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Power Switching

IRF

IRFR1018ETRPBF-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application » Adaptor « Charger « Power management o SMPS Standby Power

TECHPUBLIC

台舟电子

IRFR1010Z

N-Channel MOSFET Transistor

文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR1010Z

采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFR1010ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

文件：354.1 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR1010ZPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF_15

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZTRL

Advanced Process Technology

文件：4.51535 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR1010ZTRLPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZTRPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZTRR

Advanced Process Technology

文件：4.60477 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR1018E

采用 DPAK 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFR1018EPBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRFR1018EPBF_15

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRFR10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR10

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFR10供应商更多...

更新时间：2025-12-30 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFR1010Z
IR/VISHAY
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NA/
32365
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRFR1010ZTRPBF
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INFINEON/英飞凌全新特价IRFR1010ZTRPBF即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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INFINEON/英飞凌
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深圳市星辰微电科技有限公司
IRFR1010Z
Infineon
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DPAK
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
IRFR1010Z
IR
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原厂封装
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原装正品，实单请联系
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深圳市昌和盛利电子有限公司
IRFR1010Z
IR
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
IRFR1010Z
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原装现货假一罚十
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深圳市中联芯电子有限公司
IRFR1010ZTRPBF
IR
24+
TO-252
6000
原装现货假一罚十
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    IRFP4668PBF

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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

    2021-10-12

  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

    2021-10-12

  • IRFP460PBF

    IRFP460PBF

    2021-5-20

  • IRFP460PBF 原装正品 现货供应

    IRFP460PBF 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116

    2021-3-12

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