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IRFR1018EPBF中文资料

厂家型号

IRFR1018EPBF

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10

功能描述

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

数据手册

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生产厂商

IRF

IRFR1018EPBF数据手册规格书PDF详情

Benefits

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Applications

• High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• Hard Switched and High Frequency Circuits

IRFR1018EPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR1018EPBF

  • 功能描述

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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IRFR1018EPBF 价格

参考价格:¥2.2883

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