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位置：首页 > IC中文资料第1561页 > IRFR1010Z

IRFR1010Z价格

参考价格：￥4.7241

型号：IRFR1010ZPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFR1010Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR1010Z批发/采购报价，IRFR1010Z行情走势销售排行榜，IRFR1010Z报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR1010Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp

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IRFR1010Z

Advanced Process Technology

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KERSEMI

IRFR1010Z

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IRFR1010Z

采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFR1010ZTRPBF-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Application » Adaptor « Charger « Power management o SMPS Standby Power

TECHPUBLIC

台舟电子

IRFR1010ZPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

文件：354.1 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR1010ZPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZPBF_15

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZTRL

Advanced Process Technology

文件：4.51535 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

IRFR1010ZTRLPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZTRPBF

Advanced Process Technology

文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFR1010ZTRR

Advanced Process Technology

文件：4.60477 Mbytes Page：11 Pages

KERSEMI

1010

Dead Blow Nylon Hammers

Die-cast one piece head and handle of aluminium alloy. Fitted with shock absorbent rubber grip. Screw-in faces of special nylon. The hollow head is partially filled with shot which adds to the weight and prevents re-bound. Allowing heavy and effective blows with maximum impact control.

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NELLSEMI

尼尔半导体

1010PTDO

Phase Control Thyristors

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NELLSEMI

尼尔半导体

IRFR1010Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR1010Z

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFR1010Z供应商更多...

更新时间：2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFR1010ZTRPBF
IR
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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上海意淼电子科技有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市星辰微电科技有限公司
IRFR1010Z
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