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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)

Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Low Trr and Soft Diode Recovery ● High Performance Optimised Anti-parallel Diode Applications ● Swit

IRF

iscN-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.18Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

HEXFET Power MOSFET

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IRF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-12-28 23:01:01
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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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