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IRFBA31N50L

HEXFET Power MOSFET

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IRF

IRFBA31N50L

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)

Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Low Trr and Soft Diode Recovery ● High Performance Optimised Anti-parallel Diode Applications ● Swit

IRF

iscN-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.18Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世

Power MOSFET

文件:201.3 Kbytes Page:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

IRFBA31N50L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFBA31N50L

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    HEXFET Power MOSFET

更新时间:2025-10-10 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
0035+
TO-262
490
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
24+
SOT-3766&NBS
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IR
24+
TO-262
5000
全新原装正品,现货销售
23+
TO-220大
65480
IR
23+
TO-220
8000
只做原装现货
IR
23+
TO-220
7000
IR/VISHAY
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IR
22+
TO-220
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
IR
24+
原厂封装
5000
原装现货假一罚十
IR
23+
TO-262
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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