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50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

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50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

更新时间:2025-12-31 17:14:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
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保证进口原装可开17%增值税发票
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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