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位置：首页 > IC中文资料第5525页 > IRFM

IRFM价格

参考价格：￥1.4383

型号：IRFM120ATF 品牌：Fairchild 备注：这里有IRFM多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFM批发/采购报价，IRFM行情走势销售排行榜，IRFM报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFM

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：24.21 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM054

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM110A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM120A

IEEE802.3af Compatible

IEEE802.3afCompatible FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM120A

Avalanche Rugged Technology

FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRFM120A

Avalanche Rugged Technology

IEEE802.3afCompatible FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM120ATF

Avalanche Rugged Technology

IEEE802.3afCompatible FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM140

HEXFET TRANSISTOR

100Volt,0.077OhmHEXFET TheHEXFET®technologyisthekeytointernationalRectifiersadvancelineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRating ■IsolatedandHer

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM150

REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED

REPETITIVEAVALANCHERATEDANDdv/dtRATEDHEXFETTRNANSISTOR 100Volt,0.07OhmHEXFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM210

200V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM210A

Advanced Power MOSFET (200V, 1.5ohm, 0.77A)

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM210B

200V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM214B

250V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM220A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM220B

200V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM224B

250V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRFM240

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

200V.N-CHANNEL Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySealed ■ElectricallyIsolated ■Dynamicdv/dtRating ■Light-weight

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
IRFM240

POWER MOSFET THRU-HOLE

200V,N-CHANNELHEXFET®MOSFETTECHNOLOGY HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofth

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM250

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

PartNumberRDS(on)ID IRFM2500.100Ω27.4A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductan

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM260

TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=35A*)

HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETs

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM340

400V. N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY

POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM350

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

PartNumberRDS(on)ID IRFM3500.315Ω14A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransis

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM360

400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY

HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM450

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySeale

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM9140

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM9240

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFML8244TR

Lower switching losses

Features VDS(V)=25V RDS(ON)24m(VGS=10V) RDS(ON)41m(VGS=4.5V) Benefits Lowerswitchinglosses Multi-vendorcompatibility Easiermanufacturing Environmentallyfriendly Increasedreliability

UMWUMW

友台友台半导体

UMW
IRFM044

60V, N-CHANNEL

文件：189.51 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM044

Simple Drive Requirements

文件：192.77 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM044_15

Simple Drive Requirements

文件：192.77 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM054

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：15.91 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM054

Simple Drive Requirements

文件：193.42 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM054_15

Simple Drive Requirements

文件：193.42 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM064

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

文件：198.17 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM064

Simple Drive Requirements

文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM064_15

Simple Drive Requirements

文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM120A

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：930.12 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
IRFM120A

Advanced Power MOSFET

文件：385.13 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
IRFM1310ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：24.06 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM140

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：621.05 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM140

Simple Drive Requirements

文件：215.75 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM140_15

Simple Drive Requirements

文件：215.75 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM150

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：23.38 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM150

Simple Drive Requirements

文件：313.72 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM150_15

Simple Drive Requirements

文件：313.72 Kbytes Page：8 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM240

Simple Drive Requirements

文件：241.87 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM240

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：19.63 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM240_15

Simple Drive Requirements

文件：241.87 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM250

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：15.59 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM250

N?밅HANNEL POWER MOSFET

文件：54.01 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM250

Simple Drive Requirements

文件：206.14 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM250

POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

文件：614.32 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
IRFM250_06

N?밅HANNEL POWER MOSFET

文件：54.01 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM250_15

Simple Drive Requirements

文件：206.14 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM254

Pulse width limited by Maximum Junction Temperature

文件：93.65 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
IRFM260

Simple Drive Requirements

文件：189.74 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM260_15

Simple Drive Requirements

文件：189.74 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM3205

N?밅HANNEL POWER MOSFET

文件：22.36 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
IRFM340

Simple Drive Requirements

文件：177.45 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFM340_15

Simple Drive Requirements

文件：177.45 Kbytes Page：7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFM

  • 制造商

    SEME-LAB

  • 制造商全称

    Seme LAB

  • 功能描述

    N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFM供应商更多...

更新时间：2024-4-27 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金华微盛电子有限公司
IRFM110A
FAIRCHILD
19+
SOT-223
9439
询价
深圳市誉腾达半导体科技有限公司
IRFML8244TRPBF
INFINEON
22+
SOT23
20000
公司只有原装
询价
深圳市智连鑫科技有限公司
IRFML8244TRPBF
INFINEON
23+
SOT23
20000
只有原装正品
询价
深圳市纳立科技有限公司
IRFM120ATF
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
深圳市中赛美电子科技有限公司
IRFML8244TRPBF
Infineon/英飞凌
23+
SOT-23(SOT-23-3)
12700
买原装认准中赛美
询价
深圳市昌和盛利电子有限公司
IRFM120ATF
FSC
23+
SOT223
9526
询价
深圳市英特法电子科技有限公司
IRFML8244TRPBF
Infineon/英飞凌
2023+
SOT-23(SOT-23-3)
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IRFM440
ir
2023+
原厂封装
50000
原装现货
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
IRFML8244TRPBF
Infineon/英飞凌
23+
SOT-23(SOT-23-3)
25000
原装正品,假一赔十!
询价
深圳市瑞智芯科技有限公司
IRFM120ATF
FSC
2022/07
4000
询价

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