IRFM350深圳市唯有度科技有限公司

时间:2019-11-4 10:37:00

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产品参数

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-254-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 400 V

Id-连续漏极电流: 14 A

Rds On-漏源导通电阻: 415 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 150 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 13.84 mm

长度: 13.84 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.6 mm

商标: Infineon / IR

下降时间: 130 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 190 ns

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 170 ns

典型接通延迟时间: 35 ns

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-CHANNEL POWER MOSFET

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2025-8-9 9:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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