时间：2019-11-4 10:37:00
产品参数
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-254-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 415 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 13.84 mm
长度: 13.84 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.6 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 130 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 190 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 170 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL POWER MOSFET | SEME-LAB Seme LAB |   | ||
Comparator and Reference Circuits | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | ||
Comparator and Reference Circuits | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | ||
Linear Hall-Effect Sensors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ASI Advanced Semiconductor | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ASI Advanced Semiconductor | | ||
3.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
3.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
35 AMPERE SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER | ETC1List of Unclassifed Manufacturers ETC未分类制造商 | | ||
MiniPROFET (High-side switch Short-circuit protection Overtemperature protection with hysteresis) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子西门子股份公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR | 24+ | NA/ | 3260 | 原装现货,当天可交货,原型号开票 | |||
IR | 24+ | 三极管 | 80000 | 只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 | |||
IR | 25+ | TO-254 | 6500 | 十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 | |||
IR | 24+ | SMD | 1680 | IR专营品牌进口原装现货假一赔十 | |||
IR | QQ咨询 | TO-257 | 72 | 全新原装 研究所指定供货商 | |||
IR | 2024+ | N/A | 70000 | 柒号只做原装 现货价秒杀全网 | |||
IR | 23+ | TO-59 | 8510 | 原装正品代理渠道价格优势 | |||
IR | 专业军工 | NA | 1000 | 只做原装正品军工级部分订货 | |||
IR | 三年内 | 1983 | 只做原装正品 | ||||
IR | 638 | 原装正品 |
