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芯片资料

精确

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FEATURES

■ Avalanche Rugged Technology

■ Rugged Gate Oxide Technology

■ Lower Input Capacitance

■ Improved Gate Charge

■ Extended Safe Operating Area

■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V

■ Lower RDS(ON) : 0.289 Ω(Typ.)

IRFM110A供应商...

更新时间：2025-11-26 15:07:00

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