IRFM360深圳市唯有度科技有限公司

时间：2019-11-4 10:39:00

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产品参数

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-254-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 400 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 13.84 mm

长度: 13.84 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.6 mm

商标: Infineon / IR

下降时间: 99 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 140 ns

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 120 ns

典型接通延迟时间: 33 ns

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
IRFM360	400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
360J	Celeron M Processor on 90 nm Process	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
ADR360	Low Power, Low Noise Voltage References with Sink/Source Capability	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR360A	Low Power, Low Noise Voltage References with Sink/Source Capability	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR360B	Low Power, Low Noise Voltage References with Sink/Source Capability	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AFF-C360	Attenuator, Fused Fiber	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU
AFF-L360	Attenuator, Fused Fiber	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU
AFF-S360	Attenuator, Fused Fiber	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU
AN360	Low Noise Pre-Amplifier Circuit	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
APD360	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司

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2024-4-26 20:00:00