产品参数
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-254-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 23 A
Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 13.84 mm
长度: 13.84 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.6 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 99 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 140 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
