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IRF640N价格

参考价格：￥5.7412

型号：IRF640NLPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF640N多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF640N批发/采购报价，IRF640N行情走势销售排行榜，IRF640N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRF640N

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A)

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640N

N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRF640N

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Efficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤150mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandre

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF640N

AdvancedProcessTechnology

Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF640N

AdvancedProcessTechnology

文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640N

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF640N

HEXFETPowerMOSFET

文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NL

N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRF640NL

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A)

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NL

AdvancedProcessTechnology

Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF640NL

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTO-262packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingapplic

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF640NLPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NLPBF

AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF640NPBF

AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF640NPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NS

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A)

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NS

N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
IRF640NS

AdvancedProcessTechnology

Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF640NSPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

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英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NSPBF

AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature

Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
IRF640N_04

HEXFETPowerMOSFET

文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640N_18

N-ChannelMOSFETTransistor

文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IRF640NL

HEXFETPowerMOSFET

文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NL

AdvancedProcessTechnology

文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NPBF_15

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NS

AdvancedProcessTechnology

文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NS

HEXFETPowerMOSFET

文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NSPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NSRPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRF640NSTRLPBF

AdvancedProcessTechnology

文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
640

MINIATUREFUSEHOLDERS

文件：113.57 Kbytes Page：1 Pages

LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse
640

QuartzStability

文件：141.46 Kbytes Page：3 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT
640

3M??Scotch짰TransparentFilmTape640

文件：567.23 Kbytes Page：6 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
640A

PULSETRANSFORMERS

文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
640B

PULSETRANSFORMERS

文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

IRF640N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF640N

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF640N供应商更多...

更新时间：2024-4-18 10:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市百域芯科技有限公司
IRF640NPBF
IR
21+
TO-220
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价
深圳市珩瑞科技有限公司
IRF640NPBF
INFINEON
21+
TO-220
6000
原装正品
询价
京海半导体(深圳)有限公司
IRF640NSTRRPBF
IR
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
询价
深圳市福田区晶康业电子商行
IRF640NPBF
Infineon(英飞凌
21+
TO-220AB
40430
全新原装,价格优势
询价
深圳市迈锐达科技有限公司
IRF640N
INFINEON
21+
D2PAK
10000
询价
上海皇华信息科技有限公司
IRF640NPBF
Infineon
19303
只做正品
询价
深圳市中联芯电子有限公司
IRF640NPBF
INFINEON
23+
原厂原装
24000
有挂有货,原装正品假一赔十
询价
深圳市柯尔基电子有限公司
IRF640NSTRL
IR
23+24
TO-263
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司
IRF640NSTRLPBF
IR
22+
TO263
9000
原装正品
询价
深圳市易讯博科技有限公司
IRF640NSTRRPBF
Infineon
22+
NA
493
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