时间：2019-3-25 10:34:00
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 575pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 82W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET | DCCOMDc Components 道全道全股份有限公司 |   | ||
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
N-channel 200V - 0.35廓 - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司 | | ||
POWER MOSFET | SUNTAC Suntac Electronic Corp. | | ||
Power MOSFET | TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil Intersil Corporation | | ||
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | ||
N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) | 24+ | 标准封装 | 27048 | 原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 | |||
ST(意法半导体) | 24+ | TO220 | 7350 | 现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! | |||
INFINEON | 23+ | K-B | 36000 | 只有原装,请来电咨询 | |||
INFINEON/英飞凌 | 24+ | NA | 80000 | 只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 | |||
华晶 | 2013 | TO-220AB | 999999 | 全新原装进口自己库存优势 | |||
IR/VISHAY | 22+ | SOT-263 | 100000 | 代理渠道/只做原装/可含税 | |||
ST/意法 | 25+ | TO220 | 54648 | 百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 | |||
VISHAY/威世 | 25+ | TO-220 | 45000 | VISHAY/威世全新现货IRF630B即刻询购立享优惠#长期有排单订 | |||
INFINEON | 22+ | TO-220 | 11000 | 原装正品可支持验货,欢迎咨询 | |||
IR | 24+ | TO220 | 20000 | 全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
