时间：2019-3-25 10:34:00
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 575pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 82W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   | |
N-channel TrenchMOS transistor | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  | | |
9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  | | |
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 |  | | |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET | DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司 |  | | |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
N-channel mosfet transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
POWER MOSFET | SUNTACSuntac Electronic Corp. Suntac Electronic Corp. |  | | |
Power MOSFET | TEL TRANSYS Electronics Limited |  | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR | 21+ | TO263 | 5000 | 原装现货/假一赔十/支持第三方检验 | |||
ST/意法 | TO-220 | 货真价实,假一罚十 | 25000 | ||||
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华晶 | 2013 | TO-220AB | 999999 | 全新原装进口自己库存优势 | |||
IR | 23+ | TO-263 | 11846 | 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 | |||
INFINEON | 23+ | NA | 3000 | ||||
INFINEON | 23+ | NA | 200 | MOSFET | |||
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FAIRCHILD/仙童 | 2046+ | 9852 | 只做原装正品现货!或订货假一赔十! | ||||
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