时间：2019-3-25 10:34:00
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 575pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 82W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-channel TrenchMOS transistor | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |   | ||
N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆半导体公司 | | ||
9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil Intersil Corporation | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
Power MOSFET | TEL TRANSYS Electronics Limited | | ||
POWER MOSFET | SUNTAC Suntac Electronic Corp. | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司 | | ||
N-channel 200V - 0.35廓 - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR | 24+ | TO-220 | 34000 | 保证进口原装现货假一赔十 | |||
HA | 23+ | TO-220 | 65480 | ||||
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IR | 13+ | TO-220/TO-263 | 10000 | 深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRF630N,全新原装,正品供应。 | |||
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