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Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
IRF640N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF640N
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+ |
TO-220 |
19800 |
工作温度范围：-55°C~175°C（TJ）。
产品特点：具有低导通电阻、高开关速度和高耐压等优点，可实现高效的能量转换和传输，能在高频和高压条件下稳定工作。还具备动态 dv/dt 额定值，完全雪崩额定，易于并联，驱动要求简单等特性。
应用领域：适用于电源开关、电机驱动、照明电路、逆变器、变换器、电源管理等领域。在电动汽车动力系统中，可用作驱动电机的开关元件；也可用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）等为电流转换提供可靠的开关能力 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
3500 |
全新原装,公司现货销售 |
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IR |
13+ |
TO-220/TO-263 |
10000 |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRF640N,全新原装,正品供应。 |
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IR |
24+ |
TO-220 |
50000 |
深圳市弘为电子有限公司,是原装现货库存为主的混合型供应商,专注功率器件。
代理和分销:Infineon(英飞凌)+IR(国际整流器)、Yea Shin(台湾亚昕)、Mosway(科域)
应用领域:电源、电机控制与驱动、家电、电池管理、电动交通、汽车电子、工业控制、电焊机、节能照明 |
|||
IR |
25+ |
TO-263 |
6000 |
绝对原装正品现货!!!13246658303 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
56890 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
D2PAK |
6000 |
公司现货，只做原装，可提供BOM配单服务！ |
|||
IR |
2022 |
TO263 |
200 |
全新原装 正品现货 |
|||
IR |
新 |
进口原装 |
3000 |
库存现货 |
|||
IR |
0642/0742 |
TO-263 |
9600 |
原装正品库存优势 |
IRF640NSTRRPBF-CUTTAPE 价格
参考价格：￥3.3315
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- IRF634S
Datasheet数据表PDF页码索引
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