IRF630N

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FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 5.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 35nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 575pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 82W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IRF630	N-channel TrenchMOS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF630	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF630	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF630	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630	Power MOSFET	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF630	POWER MOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF630	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF630	N-channel 200V - 0.35廓 - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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2025-8-15 22:39:00