IRF630N

发布企业:深圳市粤骏腾电子科技有限公司时间:2019-3-25 11:33:00

企业深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北路赛格广场57楼5777

原装正品现货价格优惠

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 5.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 82W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel TrenchMOS transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

Intersil

Intersil Corporation

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

Power MOSFET

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

POWER MOSFET

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

N-channel 200V - 0.35廓 - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

2025-8-16 11:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220
34000
保证进口原装现货假一赔十
INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
12500
原装正品支持实单
Vishay(威世)
24+
标准封装
27048
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
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ST(意法半导体)
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IOR
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