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型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
IRF3415STRR	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier
3415A	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The3415Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体
3415	-4.0A竊?20VP-CHANNELMOSFET 文件：122 Kbytes Page：5 Pages	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
3415	12VP-channelMOSFET 文件：165.46 Kbytes Page：2 Pages	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司
3415	Heyco®PGandMetricThreadedPlugs 文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	HeycoHeyco. 海科
3415B	Heyco®PGandMetricThreadedPlugs 文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages	HeycoHeyco. 海科

IRF3415STRR产品属性

类型
描述
型号
IRF3415STRR
功能描述
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
HEXFET®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™ FET
型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds
1560pF @ 25V 功率 -
最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

IRF3415STRR供应商更多...

更新时间：2025-8-3 16:49:00

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