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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF3415STRR | Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF |   | |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
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IRF3415STRR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF3415STRR
- 功能描述
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
D2PAK |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
3200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
6824 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
23+ |
D2PAK |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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2019-4-28
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