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IRF1104价格

参考价格：￥4.9805

型号：IRF1104PBF 品牌：International 备注：这里有IRF1104多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF1104批发/采购报价，IRF1104行情走势销售排行榜，IRF1104报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF1104

Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A??

VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th

IRF

IRF1104

采用 TO-220 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

INFINEON

英飞凌

IRF1104

N-Channel MOSFET Transistor

文件：338.55 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF1104L

HEXFET Power MOSFET

VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th

IRF

IRF1104L

采用 TO-262 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

INFINEON

英飞凌

IRF1104LPBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t

IRF

IRF1104PBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009廓 , ID = 100A )

VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th

IRF

IRF1104S

HEXFET Power MOSFET

VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th

IRF

IRF1104SPBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t

IRF

IRF1104PBF

Advanced Process Technology

文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF1104PBF_15

Advanced Process Technology

文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF1104SPBF

Advanced Process Technology

INFINEON

英飞凌

IRF1104SPBF_15

Advanced Process Technology

文件：272.44 Kbytes Page：11 Pages

IRF

AR1104

RECTIFIER DIODE

RECTIFIER DIODE Repetitive voltage up to 2900 V Mean forward current 1680 A Surge current 17.9 kA

POSEICO

NTE1104

Integrated Circuit Wide and Narrow Band Amp, FM/IF Limiter

Applications: • For FM IF Amplifier • For TV SIF Amplifier

NTE

NJW1104

DOLBY PRO LOGIC SURROUND DECODER

文件：84.44 Kbytes Page：6 Pages

NJRC

日本无线

TEA1104

Cost effective battery monitor and fast charge IC for NiCd and NiMH chargers

文件：119.95 Kbytes Page：16 Pages

PHILIPS

飞利浦

TEA1104T

Cost effective battery monitor and fast charge IC for NiCd and NiMH chargers

文件：119.95 Kbytes Page：16 Pages

PHILIPS

飞利浦

IRF1104产品属性

  • 类型

    描述

  • OPN：

    IRF1104PBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    TO220

  • VDS max：

    40 V

  • RDS (on) @10V max：

    9 mΩ

  • ID @25°C max：

    100 A

  • QG typ @10V：

    62 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • VGS(th)：

    3 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

IRF1104供应商更多...

更新时间：2026-5-24 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IRF1104S
IR
24+
TO-263
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
IRF1104PBF
INF
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300
全新正品现货供应特价库存
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深圳市华斯顿科技有限公司
IRF1104PBF
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市胜彬电子有限公司
IRF1104S
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D2-PAK
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原装正品支持实单
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
IRF1104PBF
Infineon/英飞凌
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TO-220AB
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只做原装,质量保证
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深圳市一线半导体有限公司
IRF1104S
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D2-Pak
8866
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深圳市恒创达实业有限公司
IRF1104
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TO-220
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
IRF1104S
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全新原装正品价格最实惠 假一赔百
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
IRF1104
IR
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
询价

IRF1104芯片相关品牌

IRF1104规格书下载地址

IRF1104参数引脚图相关

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  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2

  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7

  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17

  • IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF

    IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF

    2020-1-12

  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使

    2013-2-8

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