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IRF1104SPBF	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t	IRF	IRF
IRF1104SPBF	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1104SPBF_15	Advanced Process Technology 文件：272.44 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
1104	MMCX RIGHT ANGLE PLUG CRIMP ELECTRICAL: IMPEDANCE: 50 OHMS. WITHSTAND VOLTAGE: 500V FREQUENCY RANGE: 0 - 6 GHz. VSWR: ≤ 1.50 @ 0-6 GHz. DURABILITY: ≥ 500 CYCLE CABLE RETENTION: > 10 POUNDS MISCELLANEOUS: APPLICATION: LOW-LOSS 100 SERIES, RG174, RG316, RG188, & RG179. COMPONENTS SHALL BE INDIVIDUALLY PACKAGED IN ACCO	L-COM 英飞畅	L-COM
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更新时间：2025-11-22 17:43:00

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IRF1404PBF
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2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
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2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8