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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF1104S | HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th | IRF |   | |
HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t | IRF | | ||
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IRF1104S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1104S
- 功能描述
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
3091 |
原厂原装正品 |
|||
IR |
20+ |
D2-Pak |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IR |
26+ |
TSSOP |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
22+ |
TO-263 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
IR |
26+ |
TO-263 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
IR |
23+ |
11987 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
IRF1104S规格书下载地址
IRF1104S参数引脚图相关
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2013-2-8
DdatasheetPDF页码索引
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