发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2025-4-2 9:43:00
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 162 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 160 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 33 ns
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 190 ns
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A?? | IRF International Rectifier |   | ||
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | ||
isc N-Channel Mosfet Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A?? | IRF International Rectifier | | ||
Ultra Low On-Resistance | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | ||
AUTOMOTIVE MOSFET | IRF International Rectifier | | ||
HEXFET? Power MOSFET | IRF International Rectifier | | ||
HEXFET? Power MOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | ||
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/INFINEON | 24+ | TO-220 | 9600 | 原装现货,优势供应,支持实单! | |||
Infineon/英飞凌 | 25+ | 原厂封装 | 10280 | 原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ | |||
IR | 23+ | TO-263 | 2048 | 原装正品代理渠道价格优势 | |||
INFINEON/英飞凌 | 23+ | NA | 5000 | 只有原装,欢迎来电咨询! | |||
Infineon | 2024+ | TO-220 | 500000 | 诚信服务,绝对原装原盘 | |||
IR | 24+ | 65230 | |||||
NA | 23+ | NA | 26094 | 10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 | |||
IR | 22+ | D2-pak | 8000 | 原装正品支持实单 | |||
IR | 1716+ | TO-220AB | 8500 | 只做原装进口,假一罚十 | |||
INFINEON | 24+ | TO-220-3 | 8000 | 只做原装正品,假一罚十 |
