IRF1404PBF

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2025-4-2 9:43:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:刘春兰

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 162 A

Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Qg-栅极电荷: 160 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商标: Infineon / IR

配置: Single

下降时间: 33 ns

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 190 ns

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

宽度: 4.4 mm

单位重量: 2 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A??

IRF

International Rectifier

Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

isc N-Channel Mosfet Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A??

IRF

International Rectifier

Ultra Low On-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

AUTOMOTIVE MOSFET

IRF

International Rectifier

HEXFET? Power MOSFET

IRF

International Rectifier

HEXFET? Power MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

2025-8-12 9:42:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
19+
TO-263
34000
IR
2023+
TO-220
5000
专注全新正品,优势现货供应
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NA/
4050
原装现货,当天可交货,原型号开票
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
Infineon/英飞凌
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只做原装,欢迎询价,量大价优
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INFINEON/英飞凌
2021+
45000
十年专营原装现货,假一赔十