GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 22 GHz

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GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 22 GHz

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GaAs pHEMT MMIC

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封装/外壳：模具 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC AMP GP 100MHZ-22GHZ DIE 1=2PC RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 22 GHz

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GaAs pHEMT MMIC

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GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER

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GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器，0.1 - 22 GHz

产品选型表 产品技术资料帮助 ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许，也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC MMIC AMP PHEMT 2W 32SMD RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER

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N-channel dual-gate MOS-FET

DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package with source and substrate interconnected. The transistor is protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source. FEATURES • High forward

Integrated Circuit 1.22V Reference Diode

Description: The NTE998 is a temperature compensated low voltage reference device in a TO92 type package. A single monolithic structure is obtained by utilizing transistors and thin film resistors. Benefits of this construction is low noise, low current, and good long term stability associated wi

Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs

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Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs

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3.0 mm Blue Series

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