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BF998价格

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型号：BF998 品牌：SIEMENS 备注：这里有BF998多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BF998批发/采购报价，BF998行情走势销售排行榜，BF998报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BF998	丝印代码：MO；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N_Channel MOSFET Tetrode • Short-channel transistor with high S / C quality factor • For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998	丝印代码：MO；N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998	RF Manual 16th edition	ETC 知名厂家	ETC
BF998	Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) Features ● Short-channel transistor with high S/C quality factor ● For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF998	射频 MOSFET 和有源偏置控制器硅N沟道MOSFET三极管 • 具有高 S / C 品质因数的短沟道晶体管\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998	丝印代码：MO；Silicon N_Channel MOSFET Tetrode 文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998	Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
BF998	丝印代码：MO；N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998A	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998B	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998R	丝印代码：MOR；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N_Channel MOSFET Tetrode • Short-channel transistor with high S / C quality factor • For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998R	丝印代码：MOR；N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998R	N-channel dual-gate MOSFET	ETC 知名厂家	ETC
BF998R	RF Manual 16th edition	ETC 知名厂家	ETC
BF998RA	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RAW	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RB	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RBW	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RW	丝印代码：WMO；N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode Features • Integrated gate protection diodes • Low noise figure • Low feedback capacitance • High cross modulation performance • Low input capacitance • High AGC-range • High gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998W	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N_Channel MOSFET Tetrode • Short-channel transistor with high S / C quality factor • For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998W	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor) • Short-channel transistor with high S/C quality factor • For low noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz Reverse pinout version of BF998	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF998WR	RF Manual 16th edition	ETC 知名厂家	ETC
BF998WR	N-channel dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package with source and substrate interconnected. The transistor is protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source. FEATURES • High forward	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
BF998,235	封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	ETC 知名厂家	ETC
BF998_07	Silicon N_Channel MOSFET Tetrode 文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998_08	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998_15	Silicon N-channel dual-gate 文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF998_2015	Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF998A	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998A-GS08	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998E6327HTSA1	封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA 包装：托盘描述：MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998R	丝印代码：MOR；N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998R	Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
BF998R	丝印代码：MOR；Silicon N_Channel MOSFET Tetrode 文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF998R	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor) 文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF998RA	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RA-GS08	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RAW	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RAW-GS08	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RBW	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RBW-GS08	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998RW	丝印代码：WMO；N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BF998WR	N-channel dual-gate MOS-FET 文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF998WR	N-channel dual-gate MOS-FET	ETC 知名厂家	ETC
BF998WR_15	N-channel dual-gate MOS-FET 文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF998WR_2015	N-channel dual-gate MOS-FET 文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
NTE998	Integrated Circuit 1.22V Reference Diode Description: The NTE998 is a temperature compensated low voltage reference device in a TO92 type package. A single monolithic structure is obtained by utilizing transistors and thin film resistors. Benefits of this construction is low noise, low current, and good long term stability associated wi	NTE	NTE
LNG998CKB	3.0 mm Blue Series 文件：29.9 Kbytes Page：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

BF998产品属性

类型
描述
Cg1ss：
2.1 pF
F：
1.8 dB
gfs：
24 mS
Gp：
20 dB
ID max：
30 mA
Ptotmax：
200 mW
Power gain Gp：
20 dB @800 MHz
Noise figure F：
1.80 dB @800 MHz
Package：
SOT143
Maximum Drain-source voltage Vds：
12 V
Maximum Continuous Drain current ID：
30 mA
Gate input capacitance Cg1ss：
2.1 pF
Forward transconductance gfs：
24 mS
Output capacitance Cdss：
1.1 pF

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更新时间：2026-5-14 22:59:00

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深圳市科芯源微电子有限公司	BF998	INFINEON/英飞凌	23+	SOT143	100586	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BF998RE6327	INFINEON/英飞凌	25+	SOT143	32000	INFINEON/英飞凌全新特价BF998RE6327即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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